英特爾與美光發表3D XPoint記憶體技術，比NAND快1000倍！

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）周二（7/28）共同發表一創新的記憶體技術3D XPoint，藉由獨特的複合材料與十字交叉架構，讓新記憶體技術的密度比傳統記憶體高10倍，速度與耐用度都是NAND的1000倍，號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來的第一個新記憶體類別，已準備於今年開始送樣。

3D XPoint採用交叉點陣列結構，把每個記憶體儲存單位置放在字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，每個儲存單元存放一個位元的資料，還可堆疊記憶體儲存單元，允許系統單獨存取每個儲存單元，並有可省略對電晶體需求的選擇器設計。微型化的儲存單元、可快速切換的選擇器、低延遲交叉的結構陣列，再加上快速寫入的演算法，讓儲存單元可快速切換運作狀態。

英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob Crooke表示，最近數十年業界遍尋各種方法以降低處理器與資料之間的延遲，以加速分析速度，此一新類別的非揮發性記憶體即可達成此目標，為記憶體與儲存解決方案帶來顛覆性的效能。

美光科技總裁Mark Adams則說，現代運算其中一項挑戰就是處理器存取置放在長期儲存媒體內資料所耗費的時間，3D XPoint是個革命性的技術，不僅使系統可快速存取數量龐大的資料集，還能讓各界發展許多新的應用。

英特爾與美光標榜3D XPoint技術的效能與耐用度，指出3D XPoint技術的速度是NAND的1000倍，硬碟的延遲以毫秒計算，NAND的延遲以微秒計，而3D XPoint技術的延遲則是以奈秒計算。若把電腦儲存比喻為旅行，那麼硬碟可以4天內從紐約開車到洛杉磯（2500哩），固態硬碟在同樣的時間內則可送你到月球（24萬哩），3D XPoint在4天內可讓人們往返火星（2.8億哩）。

英特爾及美光已開始生產3D XPoint技術並準備在今年送樣給特定客戶，同時雙方也正在開發基於3D XPoint技術的各式產品，可望於明年陸續發表。

外界正在引頸期盼此一讀取速度飛快的3D XPoint記憶體技術在實際應用上的表現，也好奇相關產品的成本與售價。有分析師認為，3D XPoint技術可能會取代固態硬體在PC與伺服器市場上的地位，也有機會因此帶來應用程式及作業系統在架構上的改革。（編譯/陳曉莉）