改善帕金森氏症、中風等神經退化問題，ARM將研發可植入腦部的晶片

ARM上周宣布，已與座落於華盛頓大學的交感運動神經工程中心（The Center for Sensorimotor Neural Engineering，CSNE）簽署合作協議，將由CSNE開發作為雙向腦機介面（BBCI）、可植入腦部的系統單晶片（SoC），以解決腦部的神經退化問題。

CSNE隸屬於美國國家科學基金會（National Science Foundation），主要研究如何以可植入的裝置取代大腦採用及處理資訊的途徑。

ARM新興技術暨健康照護總監Karthik Ranjan表示，該研究專案將讓他們開始能以植入腦部的晶片解決實際的健康問題，鎖定腦部神經退化疾病，像是帕金森氏症、老年痴呆症，以及中風所造成的癱瘓，長期目標是協助那些受到神經疾病影響的患者，以工程神經技術讓身體能夠再次復原、感覺與移動。

此一SoC將能夠解碼大腦中的複雜訊號，並將它們數位化，以作為處理及行動的依據，最終還能夠控制身體的肌肉功能，而這便是解決神經退化疾病的關鍵。未來CSNE也希望該SoC能夠反向傳回身體的訊號，以讓大腦能夠重新取回感覺。

該SoC將採用ARM最小的Cortex-M0處理器，而ARM也會繼續改善該處理器的功率及效率，以打造可實際用於醫療上的人工神經裝置。

CSNE產業關係暨創新總監Scott Ransom則說，除了醫療之外，相關技術也可被應用在其他領域，諸如消費者電子產品。

CSNE已打造出許多仍屬早期階段的原型裝置，現階段所面臨的難題為電力損耗及所產生的熱氣，因而更需要更小且更省電的設計。