開始應用QLC快閃記憶體與SCM儲存等級記憶體，Pure Storage推出FlashArray//C系列的全快閃儲存陣列，以及DirectMemory模組

【美國奧斯汀現場報導】以全快閃儲存陣列起家的Pure Storage，在今年10月1日成立滿10週年，而在本週的全球年度用戶大會Accelerate 2019，他們針對單位儲存成本更低的QLC（Quad-Level Cells）快閃記憶體，以及效能直逼DRAM的儲存等級記憶體（Storage Class Memory，SCM），分別發表新的儲存陣列產品FlashArray//C系列，以及模組DirectMemory。

開風氣之先，Pure Storage大膽運用QLC快閃記憶體，另闢新的全快閃儲存陣列產品，鎖定二線儲存應用

以既有產品而言，Pure Storage推出的FlashArray系列，過往都是針對第一線（Tier 1）的關鍵應用系統需求而來，強調其效能、穩定性與容量的提供，至於第二線（Tier 2）的應用系統，許多企業可能會選擇價格較為低廉的硬碟式儲存陣列，或是混合式儲存陣列，享有較低的單位儲存成本效益，然而這樣的儲存環境無法提供一致的存取速度，管理起來也較為複雜，而且每隔三到五年就可能需要汰換硬碟，不過，即便如此，全快閃儲存陣列的成本仍相對較高，使得企業難以在二線儲存應用上，導入這樣的設備。

而在此次新發表的FlashArray//C系列當中，Pure Storage強調這套儲存系統能夠提供更理想的儲存容量配置，帶來更大的成本競爭優勢，讓原本僅應用在一線儲存的全快閃架構，也能擴大到二線儲存的領域，讓更為先進的快閃儲存系統，也能成為企業建置此類型應用環境的主要選項之一。

基本上，FlashArray//C系列雖然採用的儲存媒體是QLC快閃記憶體，但與既有的FlashArray//X系列一樣，都具有6個9的高可用性（99.9999％），並享有Pure1的雲端儲存管理平臺提供的各項特色，像是基於AI的預測性分析支援，以及API自動化、硬體與軟體升級不中斷（NDU）／Evergreen訂閱升級方案。就目前推出的機型規格來看，Pure Storage主要提供的是FlashArray//C60，可區分為3U尺寸的//C60-366、6U尺寸的//C60-878，以及9U尺寸的//C60-1390，最高可提供5.2 PB的有效空間，而且可透過NVMe介面連接DirectFlash Module（DFM），以及DirectFlash儲存櫃，在儲存I/O的環節上，能夠全面支援NVMe。

可運用儲存等級記憶體作為儲存系統快取，Pure Storage新增專用模組能安裝在自家的全快閃儲存陣列

現今的全快閃儲存系統採用的固態儲存媒體，大多是NAND Flash記憶體，像是SLC、MLC、TLC，而Pure Storage今年新推出的FlashArray//C系列，則是搭配單位儲存成本更低、但效能與耐用度較低的QLC，企圖吸引更多企業用於二線儲存的領域，另一方面，針對超高效能與耐用度的固態儲存媒體，像是儲存等級記憶體，Pure Storage也開始在其FlashArray//X儲存陣列的部分機型當中，開始提供相關的擴充模組DirectMemory，以便進一步提升全快閃儲存系統的效能，號稱可將存取延遲從原本的1毫秒降至100微秒，達到10倍的增長幅度。

目前DirectMemory模組可直接安裝在FlashArray//X70和//X90，這套模組裡面搭配的儲存等級記憶體，是Intel Optane DC SSD系列（2.5吋U.2外型、750GB容量的Intel Optane SSD DC D4800X），除此之外，還需搭配Pure Storage的DirectMemory Cache軟體（Pure Storage儲存陣列的Purity作業系統內建）。

而這樣的儲存加速架構成效如何？根據該公司雲端儲存管理平臺Pure1 Meta Analytics的分析，8成的//X70和//X90用戶若搭配了DirectMemory，在讀取延遲性的表現上，會有至少兩成的降低；4成的儲存陣列在讀取延遲性的部份，會有3成到5成的降低，改善幅度最高可達到2倍。

若是執行SAP HANA這類記憶體內資料庫應用系統，與全用DRAM記憶體的架構相比，改用DirectMemory之後，效能可達到90％，相關成本節省65％。