情境示意圖,圖片來源/glassdoor

美國政府上周控告中國商人串通工業大廠GE內部員工,密謀竊取GE價值數百萬美元的碳化矽金屬氧化半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術機密。

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)具有高速、高效能、低損耗、低導通電阻、小封裝等特點,大量用於消費電子裝置做為電壓轉換之用。

美國司法部文件指出,64歲的中國商人Chi Lung Ng(吳志龍,譯音)被控,曾和一名GE工程師合作7年以上,從GE內部竊取SiC MOSFET等其他技術,並在2017年3月到2018年1月間與另一人(同夥1或1人以上)合作,利用這些竊來的GE機密製造並銷售SiC MOSFET。

吳志龍與同夥成立新創公司後,向有意願的投資人進行募資。根據檢方取得的募資簡報,他們聲稱預計3年內可以獲利,並指他們持有的技術資產價值估計1億美元,藉此吸引近3000萬美元的投資。2017年8月兩人曾經對一家有興趣的中國投資公司做了簡報。

美國司法部檢察官指出,吳志龍竊取美國智慧財產圖利外國公司,剝奪美國人才創意以及美國工作者辛勤工作的成果。但檢方指出,目前沒有證據兩人已經將GE的MOSFET技術轉給了任何中國公司,包括兩人企圖成立的新創公司。

不過吳志龍仍尚在逃。若經逮捕並經定罪,他最高可能面臨10年刑期及25萬美元的罰金。

這是最新一起中國人士被控竊取研究商業機密的事件。去年1月二名中國人包括Yanqing Ye(葉燕青,譯音)與Zaosong Zheng(鄭朝松,譯音),也被控聯合哈佛大學化學及生化教授Charles Lieber收受中國政府的酬勞,利用美國學術資源協助中國進行研究。


熱門新聞

Advertisement