美國控告中國商人串通GE內賊竊取半導體機密

美國政府上周控告中國商人串通工業大廠GE內部員工，密謀竊取GE價值數百萬美元的碳化矽金屬氧化半導體場效電晶體（SiC MOSFET）技術機密。

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor）具有高速、高效能、低損耗、低導通電阻、小封裝等特點，大量用於消費電子裝置做為電壓轉換之用。

美國司法部文件指出，64歲的中國商人Chi Lung Ng（吳志龍，譯音）被控，曾和一名GE工程師合作7年以上，從GE內部竊取SiC MOSFET等其他技術，並在2017年3月到2018年1月間與另一人（同夥1或1人以上）合作，利用這些竊來的GE機密製造並銷售SiC MOSFET。

吳志龍與同夥成立新創公司後，向有意願的投資人進行募資。根據檢方取得的募資簡報，他們聲稱預計3年內可以獲利，並指他們持有的技術資產價值估計1億美元，藉此吸引近3000萬美元的投資。2017年8月兩人曾經對一家有興趣的中國投資公司做了簡報。

美國司法部檢察官指出，吳志龍竊取美國智慧財產圖利外國公司，剝奪美國人才創意以及美國工作者辛勤工作的成果。但檢方指出，目前沒有證據兩人已經將GE的MOSFET技術轉給了任何中國公司，包括兩人企圖成立的新創公司。

不過吳志龍仍尚在逃。若經逮捕並經定罪，他最高可能面臨10年刑期及25萬美元的罰金。

這是最新一起中國人士被控竊取研究商業機密的事件。去年1月二名中國人包括Yanqing Ye（葉燕青，譯音）與Zaosong Zheng（鄭朝松，譯音），也被控聯合哈佛大學化學及生化教授Charles Lieber收受中國政府的酬勞，利用美國學術資源協助中國進行研究。