三星宣布開始生產3奈米晶片

三星電子（Samsung Electronics）周四（6/30）宣布，已開始藉由基於環繞式閘極（Gate-All-Around，GAA）電晶體架構的3奈米製程來生產晶片。

根據三星的說法，基於GAA技術的多橋通道場效電晶體FET（Multi-Bridge-Channel FET）得以挑戰鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）在效能上的限制，藉由減少供應電壓水平來改善能源效益，並透過增加驅動電流能力來強化效能。

與5奈米製程相較，最佳化的3奈米製程將能減少45%的電力使用，改善25%的效能，並減少16%的表面積。三星已經開始啟動該3奈米電晶體與半導體晶片的高效能與低功耗應用，並計畫擴大至行動處理器。

根據市場研究機構TrendForce的統計，去年全球晶圓代工市場的龍頭為台積電，市占率達53%，三星以18%居次，且TrendForce還預測台積電今年的市占率會增加到56%。

儘管三星比台積電更早進入3奈米製程，不過，三星過去幾年來的競爭都受到良率的阻礙，不確定新的3奈米製程能否翻轉頹勢，而台積電則計畫於2025年進入2奈米製程。