三星電子
繼英特爾與台積電之後,美國商務部周一(4/15)宣布,已與三星電子(Samsung Electronics )簽署初步備忘錄,基於《晶片與科學法案》(Chips and Science Act,CHIPS Act)補助三星64億美元以於美國生產晶片。
根據雙方的協議,未來幾年三星將投入至少400億美元以於美國建立半導體工廠聚落,包括在德州泰勒興建先進製造生態體系,將包含兩家專注於大規模生產4奈米及2奈米製造技術的代工廠,一家致力於研發先進節點技術的工廠,以及一家導入AI應用以生產3D高頻寬記憶體與2.5D封裝的封裝廠,在此一聚落所設計及生產的半導體將供應通訊、汽車、國防、高效能運算以及AI應用。
另也包括三星承諾要擴建位於德州奧斯汀的現有設施,發展全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)製程技術,以支持美國的航太、國防及汽車等關鍵領域。
雙方預計相關的投資將替美國在未來5年內,創造逾1.7萬個建築工作機會,以及4,500個高薪的製造業職缺。
CHIPS Act的目標之一,是讓美國在2030年的先進晶片生產能力達到全球的20%。在CHIPS Act對全球主要代工廠的補助中,英特爾拿到85億美元的補助與110億美元的聯邦貸款,台積電拿到66億美元的補助與50億美元的貸款,而三星則是取得64億美元的補助。另一方面,在取得美國補助後,英特爾承諾要在美國投資超過1,000億美元,台積電為650億美元,三星則是400億美元。
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