NEC與東芝合作開發MRAM

日本半導體業者NEC與東芝日前宣布，雙方已合作開發MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體），目的是結合兩家公司的長處，縮短開發時程，希望能夠超越IBM及摩托羅拉等業者。這項開發計畫，由雙方各派20名研發人員，到NEC所屬的一座8吋晶圓廠進行研發、試產，希望在2005年3月之前，能開發出0.25微米的TMR元件，以及0.18微米CMOS製程。

MRAM是一種新型態的記憶體，與快閃記憶體類似，屬於非揮發性半導體，其特性為具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射線多項優點，同時整合了DRAM、SRAM及Flash的特性。目前許多半導體業者都投入MRAM的研發競爭，無不希望領先業界，早一步推出開發成果。臺灣業界臺積電也在今年3月宣布與工研院合作開發MRAM，加入了這項開發競賽。