IBM開發出350GHz的電晶體

根據外電報導，IBM日前宣稱開發出一款速度高達350GHz的電晶體。這個產品所使用的是矽鍺（SiGe）為基礎所開發出來的技術。矽鍺是一種化合物半導體，可以在許多方面取代矽成為另一種半導體元件的主要材料。

IBM投入矽鍺技術的研發已有多年經驗，目前這項產品使用的是該公司第五代的矽鍺技術，這項能夠提供高速傳輸的電晶體技術將被運用在無線網路上。IBM方面希望透過這個新的電晶體技術，能夠讓無線網路晶片的速度提升到150GHz的水準。

許多分析師對該公司的這項開發成果給予正面評價，認為這有助於該公司在無線通訊領域競爭力。IBM方面指出，這項新電晶體技術將在2005～2006年間，正式運用在無線網路晶片上。