英特爾把晶圓磨掉90％做超薄晶片

繼超微在4月初宣布與富士通合資成立一家新的快閃記憶體公司，以加強擴大市佔率的實力之後，英特爾隨後也於4月10日也針對快閃記憶體，發表了一項新技術--超薄堆疊式記憶體技術，該公司宣稱，透過這項技術，六個晶片堆疊起來只有信用卡的厚度（1.2公釐）。

由於現在可攜式裝置，對於記憶體容量要求越來越高，在不增加記憶體體積的情況下，增加記憶體密度，便成為現在記憶體技術的挑戰，超微去年推出的MirrorBit快閃記憶體，就是透過全新的架構設計，達到密度加倍的效果。英特爾則是透過將兩個以上的晶片堆疊起來的技術，來提高密度。

而英特爾這次所謂超薄型，最主要的秘訣，是將晶圓磨掉90％，再進行切割以及後續的堆疊封裝。由於研磨，乃至於磨成薄片以後再行切割等等技術難度很高，該公司也坦承，要維持良率挑戰性更高。不過這種超薄堆疊記憶體卻讓英特爾能夠在不增加體積的情況下，把StrataFlash記憶體容量推升到512Mb，明年更可以推出容量高達1Gb的產品。

堆疊式的記憶體，除了可以把多片快閃記憶體晶片做成同一封裝之外，也可以依照需求把SRAM納入堆疊之列。也就是本來分開散置在PCB板上的快閃記憶體及SRAM等記憶體，可以透過這樣的技術合而為一，節省空間。

英特爾亞太區無線通訊事業群產品行銷經理黃承德表示，這次英特爾推出的新產品當中，根據不同容量的快閃記憶體晶片及SRAM晶片的排列組合，就推出了13款產品。未來針對客戶個別需求，還會推出更多排列組合的可能性。

多媒體資料的應用使得手機或PDA這類產品對記憶體密度需求越來越高，據了解，一般GPRS彩色手機，需要64Mb快閃記憶體，加入數位相機功能的話，就至少要128Mb，這類高密度快閃記憶體，是目前超微與英特爾積極角逐的市場。