英飛凌、三星先後導入先進製程

英飛凌5月初宣布，該公司將採用0.11微米製程技術生產DRAM。該公司宣稱，與前一代製程（0.14微米）相較，每片晶圓所切割的晶片將增加50％，生產成本降低30％。 這項新製程將在英飛凌的12吋廠進行，首批生產的是256Mb DDR SDRAM，該公司宣稱，這項0.11微米製程技術，未來能夠做出容量高達1Gb 的DDR SDRAM，甚至未來DDR-II及其他高速記憶體都是和使用此製程。

三星也於近日宣布，將使用90奈米製程技術來生產DRAM，該公司宣稱已能夠生產1Gb 的DDR SDRAM，並考慮在今年內生產4Gb 的DDR SDRAM。此外，70奈米製程技術也在試產當中，預計明年量產。