東芝推出32奈米製程32Gbit NAND快閃記憶體

東芝宣布已研發32奈米製程NAND快閃記憶體，並於同日開始供應容量32Gbit、換算約4GB的記憶體樣品，同時這也是目前全球首度實用化的32奈米製程NAND快閃記憶體。

東芝表示，以往的32Gbit NAND快閃記憶體均以43奈米製程製造，常見商品為將8片32Gbit記憶體堆積封裝所衍伸出的32GB容量儲存商品，現在透過東芝微細化技術研發進入32奈米製程後，將有助產品製造商降低儲存商品的生產成本，晶片體積縮小後還能進一步研發新一代大容量小體積產品。

這次發表的32Gbit NAND快閃記憶體已排定在7月由東芝日本四日市工廠量產，首要供貨對象為記憶卡、USB隨身碟等產品製造商，之後將依序供貨至其餘製造商，而容量約2GB的16Gbit產品也預定在今年秋季中旬進入量產。（編譯/張嵐霆）