英特爾與美光推出25奈米TLC快閃記憶體

英特爾與美光宣佈年底將開始量產25奈米製程採3-bit-per-cell架構（Triple-Level Cell，TLC）的快閃記憶體，將提昇快閃記憶體容量並降低成本。

新的快閃記憶體由英特爾與美光合資成立的IMFT公司開發，運用64Gb/ 8Gb 25奈米微影技術，將快閃記憶體每單位資料容量提昇至3位元（3-bit-per-cell，業界將此稱為TLC），比每單位1位元的SLC或2位元的MLC可儲存更多的資料。

與相同儲存容量的英特爾與美光25nm MLC產品相比，25奈米TLC快閃記憶體尺寸縮小了20%，是市面上最小的8Gb快閃記憶體裝置。美光表示，小尺寸的快閃記憶體對電子產品使用的的記憶卡特別重要。