日前英特爾來臺展示目前正在研發的新一代記憶體架構,稱為混合記憶體立方體(Hybrid Memory Cube),該架構在邏輯層上方配置堆疊式的記憶體,形成3D立方體架構,可節省記憶體與處理器之間互相傳輸資料時,對I/O 頻寬與用電量的消耗。

英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner表示,Hybrid Memory Cube架構使記憶體省電效率比最高規格的DDR3記憶體提升7倍,與處理器之間的資料傳輸頻寬提升10倍,達到1Tb/s。英特爾實驗室主要工程師Bryan Casper表示,1Tb/s為目前業界最高的記憶體頻寬數。

不過,這項記憶體架構目前還在研發階段,Justin Rattner估計,在3~5年之後,才會對IT產業帶來重大的影響,甚至改變處理器與記憶體之間的運作模式,未來處理器不必再執行運算工作,只要發出指令,就能命令記憶體來執行。文⊙鄭逸寧

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