東芝與SanDisk推世界最小的128Gbit NAND記憶體

東芝與SanDisk週四（2/23）宣布將於本月量產128Gbit（16GB）世界最大容量、170mm2世界最小晶片面積的NAND快閃記憶體。

這款19奈米製程NAND快閃記憶體使用獨自研發的高速寫入方式，以三段式寫入法將資料儲存於記憶體單元（Memory Cell）時，前兩階段資料就已幾乎完全存入，在第三階段僅執行微調功能，如此即可降低5%已保存資料的記憶體單元被影響的機率。

此外，兩社也利用氣隙（Air Gap）結構進一步阻止記憶體單元寫入資料時互相影響，透過創新的高速寫入技術與結構設計，達成3bit/cell同級NAND快閃記憶體產品中世界最快18MB/sec的寫入速度。

在縮減面積方面，兩社也重新設計控制記憶體單元的迴路，將其統一集中配置於晶片單側後，即可減少周圍迴路約20%面積，實現170mm2晶片小型化的成果。（編譯/張嵐霆）