台積電(TSMC)與微處理器架構開發商ARM周一(7/23)宣布多年的合作協議,將雙方的合作延伸至20奈米製程以下,並利用FinFET電晶體技術打造ARM處理器,以最佳化新一代的64位元ARM處理器,同時強化台積電FinFET處理技術在行動及企業領域上的應用。
FinFET全名為鰭式場效電晶體(FinField-effecttransistor),為新一代的電晶體技術,它採用3D的電晶體架構,並利用雙邏輯閘來改善電路控制並減少漏電,且可大幅縮短電晶體的閘長。台積電已計畫在今年或明年發表20奈米製程的FinFET電晶體,採用16奈米製程的會在明年或後年問世,14奈米製程則預計於2014年實現。
雙方將共享彼此的技術資訊與意見,以強化ARM的智慧財產及台積電的製程技術,其中,ARM打算透過製程技術來最佳化攸關電力、效能與面積的整體解決方案,以降低風險並促進早期採用,台積電則會利用ARM的處理器與技術來作為FinFET的基準並進行微調。此一結合預計可改善矽製程,實體的IP與處理器技術,並促成系統單晶片的創新及縮短產品上市時程。
ARM的ARMv8架構延續ARM的低耗電技術,並藉由新的64位元執行狀態來迎合高階行動、企業與伺服器應用的效能需求,且其64位元是專門為節能實作而設計,64位元的記憶體定址與高階效能都是行動及雲端運算市場執行企業運算或網路架構必備的條件。
市場分析指出,主導智慧型手機及平板電腦市場的ARM計畫跨入高效能運算領域,踩進英特爾的地盤,另一方面,英特爾也已在去年發表三邏輯閘的FinFET電晶體技術,並已推出商業化的處理器產品。雙方的合作既能協助台積電解決製程的問題,也可推動ARM在高效能處理器上的發展。(編譯/陳曉莉)
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