瑞薩科技與松下電器合作開發系統晶片製程已擴展至 45 奈米的新境界

松下電器公司和瑞蕯科技公司宣布成功整合測試 45 奈米的系統晶片 (SoC) 半導體製造技術。此項製程技術是產業首創完全整合1 氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器2 與光隙數值 1.0 或更高的技術。兩家公司在 2005 年 10 月開始合作 45 奈米的製程開發計畫，同時兩家公司自 1998 年即開始合作前一代的生產製程開發計畫。

目前的聯合開發計畫將於 2007 年 6 月完成，並預計在 2008 年初開始量產。全新 45 奈米製程將由松下和瑞蕯共同使用，生產高階行動產品和消費性網路電子產品的系統晶片。除了高階的氬氟浸沒微影技術外，兩家公司也計畫引進其他新技術，使其成為開發計畫的一部份，包含引流高移動率電晶體3 和 ELK (K = 2.4) 多層次線路模組4。

兩家公司在 1998 年首次同意合作開發下一世代系統晶片技術，當時甚至瑞蕯科技尚未成立。新計畫是雙方第五階段合作的一部份，該計畫開始於 2005 年 10 月。雙方共同開發計畫中最顯著的成就包含在 2001 年完成 130 奈米的 DRAM 合併製程、2002 年的90 奈米系統晶片製程、2004 年的 90 奈米 DRAM 合併製程，和 2006 年的 65 奈米系統晶片製程。

未來松下和瑞蕯將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配發資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，累積技術能量，形成絕佳的合作關係。


註釋：
1. 完全整合：指完全整合生產技術至所有晶圓製程中，而非限制整合個別單一模組。

2. 氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器：藉由液體填滿投射鏡片和晶圓間的空隙，增加鏡片有效直徑的技術。

3. 引流高移動率電晶體 (Introduced-strain high-mobility transistor)：藉由引進局部應力 (localized stress) 至電晶體中，以增加電流驅動容量的技術。

4. LK (K = 2.4) 多層次線路模組：利用低相關電容率的層間絕緣薄膜，進行多層銅線
繞線的技術。

關於瑞薩科技
瑞薩科技為全球半導體系統解決方案的領導廠商之一，其業務範圍囊括行動電話、汽車工業和 PC/AV (影音設備)市場，更是全球第一的微控制器供應商。瑞薩也是 LCD 驅動器 IC、智慧卡微控制器、RF-IC、高功率放大器、混合訊號IC、系統晶片 (SoC)、系統封裝 (SiP) 等產品的領導者。瑞薩科技成立於 2003 年，是日立製造所 (TSE:6501, NYSE:HIT) 和三菱電機公司 (TSE:6503) 所合資的公司；於 2005 年會計年度 (2006年3月止)，合併營收達 9060 億日圓。瑞薩科技總部設於日本東京，並在全球二十餘國設有製造、設計和銷售營運的網路，員工數 26,200名。如需更多資訊，請參閱網站 http://www.tw.renesas.com