隨著3月底英特爾推出Xeon E5-2600 v4系列處理器,HPE趁機發表了Persistent Memory模組8GB NVDIMM,搭配該公司既有的ProLiant Gen9伺服器使用(DL360 Gen9和DL380 Gen9將率先支援)。
與傳統的DRAM記憶體相比,這套8GB NVDIMM的設計,特別遵照JEDEC標準組織與儲存網路產業協會(SNIA)所推動的NVDIMM-N技術,本身結合了NAND Flash快閃記憶體顆粒。
HPE 8GB NVDIMM的最大特色,是能加快資料庫系統與資料分析應用的工作負載存取速度,根據HPE的內部測試,配備這套記憶體之後,對於資料寫入動作較為頻繁的工作負載,像是微軟SQL Server資料庫系統執行的交易記錄保存作業,或是在Linux環境下執行應用系統交易動作時,存取效能可提升到原先環境的2倍以上;若是應用在OLTP資料庫系統的複寫作業上,速度甚至能增長到4倍以上。
HPE 8GB NVDIMM的使用上,可相容於伺服器的RDIMM記憶體插槽規格,圖中是這款記憶體插在ProLiant DL380 Gen9伺服器機箱內部的樣子。
面對寫入密集的工作負載,若企業原本是透過Flash儲存設備來支撐,現在轉由HPE 8GB NVDIMM來承擔,還會得到另一個好處,那就是可藉這樣的應用,順勢延長Flash儲存裝置的使用壽命。而且,也可發揮DRAM本身的耐用度較快閃記憶體要高的特性。
此外,HPE 8GB NVDIMM也具有斷電保護機制——一般而言,DRAM記憶體上所存放的資料,一斷電就會消失,可在伺服器突然遇到斷電情況時,能及時將DRAM所存放的資料轉存到非揮發的記憶體(也就是NAND Flash),增強記憶體儲存資料的耐用度。
這是HPE 8GB NVDIMM正面的模樣。根據HPE網站上的快速查詢規格文件裡面的描述,我們可以知道:圖中標示1的部分,是DRAM記憶體顆粒;標示2的部分是暫存器(Register),是針對RDIMM的操作需求,提供命令或是位址的控制機制;
標示3的部分是多工器(Mux,Multiplexer),是針對備份與還原時所需的匯流排隔離功能;標示4的部分是DIMM接頭,可為整支記憶體模組提供12伏特的電壓。
這是HPE 8GB NVDIMM背面的模樣,由於快速查詢規格文件並未介紹,我們只好根據HPE的相關YouTube影片介紹(https://youtu.be/IPuSI2jCScU),以及SNIA的NVDIMM-N Cookbook介紹(http://goo.gl/upAzHA),來判斷一些部位的作用。
其中標示1的部分,應該是NAND Flash,能針對整支記憶體模組提供持續儲存資料的空間。
標示2的部分,似乎是一個擴充插槽,作用不明。標示3的部分,是AgigA公司的晶片,其功能不得而知,或許是所謂的NVDIMM Controller控制器。
之所以能提供這樣的機制,HPE仰賴8GB NVDIMM內建的快閃記憶體,以及伺服器上的資料儲存電池套件Smart Storage Battery,為NVDIMM記憶體模組提供備用電力——在電力突然中斷時,該套件最多可同時支援16支NVDIMM記憶體模組的資料遷移作業。
從上述YouTube影片,可以看到Smart Storage Battery的外型,在《HP Smart Storage for HP ProLiant Gen9 servers》這份技術白皮書當中,對於這個元件的功能也有進一步介紹。
圖中排列了兩支記憶體,由上而下分別是HPE現行記憶體,以及HPE 8GB NVDIMM。這張照片,是我們在4月14日舉行的HPE Composable Infrastructure 巡迴發表會臺北站所拍攝的,該公司首次在臺公開展出這支記憶體。
從正面來看,HPE 8GB NVDIMM與原本DRAM記憶體的外觀差異,最顯著的部分在於,記憶體在接頭(connector)上方,多設置了一排Mux多工器。
從上述這些特性來看,HPE 8GB NVDIMM相當吸引人,因為這剛好融合了DRAM與NAND Flash的彼此優點,相互截長補短,不過,要徹底發揮效能提升的特性,仍須作業系統與應用軟體能夠支援,目前,HPE針對Linux作業系統平臺的驅動程式,提供了軟體開發套件(SDK)。
產品資訊
●原廠:HPE(02)8722-9000 ●建議售價:8GB NVDIMM Single Rank x4 DDR4-2133模組為45,200元 ●容量:8GB ●存取速度:2,133 MT/s ●內建非揮發性儲存媒體:NAND Flash ●相容記憶體插槽:RDIMM ●單臺伺服器搭配NVDIMM記憶體數量與容量:16支、128GB ●備用電力來源:HPE Smart Storage Battery |
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