今年初WD發表第5代3D NAND技術BiCS5,可提供基於112層垂直堆疊而成的固態儲存容量,當時預估會在下半年進入量產。到了年底,我們也看到更多快閃記憶體廠商發布新的3D NAND技術,例如,美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)陸續在11月初與12月初,發表了176層NAND技術,而英特爾也在12月中推出基於144層NAND技術的多款產品,其中一款預計在本季上市,它是針對資料中心工作負載的機型,名為SSD D7-P5510。

目前這款固態硬碟採用144層的3D NAND技術,儲存密度為3層單元(TLC),外形是2.5吋U.2,儲存容量為3.84TB、7.68TB,I/O介面採用PCIe 4.0 x4,支援NVMe 1.3c的標準。

相較於英特爾6月發表的SSD D7-P5500與SSD D7-P5600,最主要的差別在於它們採用的是96層的3D NAND技術,其餘規格都與SSD D7-P5510相近,像是內建256位元AES加密、支援TCG Opal 2.0標準、將發生的斷電事故保護(PLI protection)。

就存取效能而言,英特爾也公布他們10月的測試數據比較。以循序讀寫的存取方式而言,上一代採用64層3D NAND技術的產品SSD DC P4510,效能是3.2GB/s與3.1GB/s,SSD D7-P5510是7GB/s與4.194 GB/s,分別提升了118%與35%;隨機讀寫的部份,SSD DC P4510是64.2萬IOPS與13.5萬IOPS,SSD D7-P5510為93萬IOPS與19萬IOPS,分別提升了45%與41%;在混合讀寫的作業上,SSD DC P4510是26.6萬IOPS,SSD D7-P5510為40萬IOPS,提升了50%。

平均延遲的表現上,SSD DC P4510讀取延遲是95微秒(英特爾未公布寫入效能),SSD D7-P5510的讀寫延遲則各為86微秒與16微秒。而在混合讀寫的延遲上,SSD DC P4510是2539微秒,SSD D7-P5510是1100微秒,可縮短至50%。

而在TRIM無效資料刪除指令的處理時間上,SSD DC P4510會超過30秒,SSD D7-P5510卻可低於100毫秒,提升幅度超過100倍。

事實上,在SSD D7-P5500與SSD D7-P5600先前推出時,就曾提到採用了最佳化的TRIM架構,而在SSD D7-P5510則更強調這是新的TRIM架構,可針對資料集管理指令運用的實際工作負載效能,執行改善的作法。

產品資訊

Intel SSD D7-P5510
●原廠:Intel
●建議售價:廠商未提供
●儲存容量:3.84 TB、7.68 TB
●外形:2.5吋U.2
●儲存媒體:3D NAND,TLC
●最高讀寫速度:循序7000 MB/s與4194 MB/s,隨機93萬IOPS與19萬IOPS
●使用介面:PCIe 4.0 x4/NVMe 1.3c
●耐用度:每日寫入量為1,總寫入容量為14PB
●可靠度:200萬小時MTBF
●保固期間:5年

【註:規格與價格由廠商提供,因時有異動,正確資訊請洽廠商】


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