IBM全固態儲存陣列進入9世代，固態儲存容量密度提高50%

相隔一年時間後，IBM再次更新了FlashSystem固態儲存陣列產品線，新推出的FlashSystem 900以MLC Flash記憶體模組，取代先前使用的eMLC Flash記憶體，使儲存密度提高將近50%。IBM同時也推出結合SVC控制器與FlashSystem 900的FlashSystem V9000，可提供以固態儲存陣列為基礎的完整進階儲存應用服務。

自2013年4月推出的第一代FlashSystem起算，FlashSystem 900是FlashSystem家族的第三代產品，沿用了上一代FlashSystem 840的機箱設計，包括雙控制器2U的機箱、從機箱正面抽換的專屬Flash記憶體模組，以及FC、FCoE、iSCSI與InfiniBand在內的多種主機端介面選擇，從規格上來看，主要更新有這兩點：一為Flash記憶體模組改用MLC單元，取代先前使用的eMLC，二為只提供RAID 5，不再支援RAID 0。

MLC Flash的等級固然不如eMLC（e即為enterprise之意），不過有更佳的容量成本效益，和上一代FlashSystem 840相比，FlashSystem 900在提供同等級效能的同時，利用MLC單元將最大容量提高了將近50%。

FlashSystem 900的4K隨機IOPS效能仍維持在與FlashSystem 840相同的110萬／60萬（讀取／寫入），寫入延遲亦同等（90μs），只有讀取延遲稍有增加（155μs 對135μs），但FlashSystem 840的一個Flash儲存模組最大原生容量只到4TB，FlashSystem 900則提高到5.7TB，一臺2U機箱單元的最大可用容量則從40TB增加到57TB，以增加少許讀取延遲為代價，換來容量密度的大幅提高。

另一方面，從前身TMS的Ramsan系列時代起，到FlashSystem系列的第二代FlashSystem 840為止，這系列產品都能提供RAID 0與RAID 5兩種RAID組態，但是FlashSystem 900便只提供RAID 5，顯示了更重視資料安全的傾向，而非一味的重視效能。