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新的Rowhammer攻擊技術可繞過DDR4記憶體的現有防禦,成功率百分之百

蘇黎世聯邦理工學院COMSEC團隊公布DRAM新漏洞CVE-2021-42114 ,能在40款來自三星、美光及SK海力士等業者生產的DRAM裝置上、觸發Rowhammer位元翻轉現象,可能讓惡意程式取得系統最高權限或繞過安全沙箱

2021-11-17