NAND

藉由獨特的複合材料與十字交叉架構，讓新記憶體技術的密度比傳統記憶體高10倍，速度與耐用度都是NAND的1000倍，號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來的第一個新記憶體類別，已準備於今年開始送樣。