IBM記憶體技術新突破　比快閃記憶體快100倍

IBM週四(6/30)宣佈，已成功開發出新的相變記憶體(PCM)技術，能在每單元(cell)中儲存多位元資料，並保留一段時間。

PCM結合了速度、非揮發性、耐用性、和高密度等特性，可望在未來五年內推動企業IT和儲存系統朝新的典範移轉。一直以來，科學家都在尋求較現行快閃記憶體具更優異效能的萬用、非揮發性記憶體技術，能讓電腦和伺服器立即開機並大幅提升IT整體系統效能。

PCM是新一代記憶體中深具潛力的一項技術，它的資料讀寫速度較快閃記憶體快100倍，並具高儲存容量。此外，PCM非常耐用，可讀寫高達1000萬次，遠優於目前企業用快閃記憶體的3萬次，更適於企業級應用。

IBM位於蘇黎世的研究人員利用先進調制編碼(modulation coding)技巧，消除了多位元PCM的短期漂移問題，這是指儲存單元的電阻值會隨時間而改變，因而造成讀取錯誤。截至目前，業界對於PCM的研究仍停留在每單元單位元(single bit-per-cell)技術，這是多位元PCM的首次成功展示。

為達到多位元PCM的可靠度，IBM科學家亦改進了PCM傳統的讀寫過程。透過電壓脈衝的重覆寫入程序，以確保電阻值維持在一定水準，可克服記憶體單元和相變材料的電阻值變異現象。

儘管採用此重覆寫入過程，此多位元PCM最差仍可達到10微秒的寫入時間延遲(latency)，較目前市場上最先進快閃記憶體的效能高了100倍。

使用此技巧，IBM科學家可在以90奈米CMOS製程製造、具20萬個儲存單元的PCM測試晶片上，展現出長期的資料保存性。此資料保存實驗已經進行了超過五個月，顯示出多位元PCM能達到足敷實際應用的可靠度。

未來，IBM蘇黎世研究中心的這項PCM研究計畫將持續在新近啟用的Binning and Rohrer奈米技術中心進行研發。(編譯/范眠)